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如何在实际应用中选择正确类型的功率MOSFET管家

发布时间:2020-01-30

  方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。

  由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的,这里不作赘述,只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外,这里的功率MOSFET应用选型为功率开关应用,对于功率放大应用不一定适用。

  和小功率MOSFET类似,功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势,但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。(可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧,看来理论总是跟实际有差距的,管家婆今期玄机图哈哈)

  MOSFET是电压控制型器件,三极管电流控制型器件,这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的:优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等;缺点—难以制成高电压、大电流型器件,这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。

  前面说了,实际应用主要使用增强型功率MOSFET,但到底该选择N沟道的还是P沟道的呢?如果你对这个问题有疑问,下面的图和注释会让你一目了然!

  负载(Load)的连接方式决定了所选MOSFET的类型,这是出于对驱动电压的考虑。当负载接地时,采用P沟道MOSFET;当负载连接电源电压时,选择N沟道MOSFET。

  选好MOSFET的类型后,深圳好日子论坛www.km444.com,接下来要做的是确定在你的设计中,漏极和源级间可能承受的最大电压,即最大VDS 。MOSFET能承受的最大电压会随温度变化,这是我们工程师在设计时必须考虑到的,必须在整个可能工作温度范围内测试电压变化范围。

  MOSFET在关断瞬间,会承受到最大的电压冲击,这个最大电压跟负载有很大关系:如果是阻性负载,那就是来自VCC端的电压,但还需要考虑电源本身的质量,如果电源质量不佳,需要在前级加些必要的保护措施;如果是感性负载,那承受的电压会大不少,因为电感在关断瞬间会产生感生电动势(电磁感应定律),其方向与VCC方向相同(楞次定律),王中王开奖493333淘宝全球购的日本买手们。承受的最大电压为VCC与感生电动势之和;如果是变压器负载的话,在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势。

  中的封装类型错误 特性 低Q g 和Q gd 低R DS(ON) 低热阻 雪崩级 无金引脚镀层 符合RoHS标准 无卤素 晶体管(TO)-220塑料封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管   VDS (V) Configuration Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) QG Typ (nC) QGD Typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH Typ (V) ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic Level   var link = zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics; com.TI.Product.handleQuickLinks(parametric,参数变化,#parametrics,link); CSD18510KCS CSD18503KCS CSD18504KCS CSD18510KTT CSD18510Q5B CSD18511KCS CS...

  这款40V,2.1mΩ,D 2 PAK(TO-263)NexFET™功率MOSFET旨在最大限度地减少功率转换应用中的损失。 特性 低Q g 和Q gd 低R DS(ON) 低热阻 雪崩评级 无铅端子电镀 符合RoHS标准 无卤素 D 2 PAK塑料包装 所有商标均为他们各自的主人。 参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管   VDS (V) Configuration Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) QG Typ (nC) QGD Typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH Typ (V) ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic Level   var link = zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics; com.TI.Product.handleQuickLinks(parametric,参数变化,#parametrics,link); CSD18511KTT CSD18510KTT 40     40     Single     Single     4.2     2.6     2.6   ...

  这款40V,1.9mΩ,SON 5mm×6mmNexFET功率MOSFET的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率损耗。 特性 低R DS(ON) 低热阻 雪崩额定值 逻辑电平 无铅引脚镀层 符合RoHS标准 无卤素 小外形尺寸无引线mm塑料封装 应用范围 直流 - 直流转换 次级侧同步整流 电池电机控制 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管   VDS (V) Configuration Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) QG Typ (nC) QGD Typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH Typ (V) ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic Level   var link = zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics; com.TI.Product.handleQuickLinks(parametric,参数变化,#parametrics,link); CSD18511Q5A CSD18510KCS CSD18510KTT CS...

  这款210mΩ,20V P通道FemtoFET MOSFET被设计且被优化,以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。这个技术能够在将封装尺寸至少减少60%的同时,替代标准的小信号MOSFET。 特性 超低导通电阻 超低Q g 和Q gd 高运行漏极电流 超小封装尺寸(0402外壳尺寸) 1.0mm×0.6mm 超薄 最大高度0.35mm 集成型静电放电(ESD)保护二极管 额定值> 4kV人体模型(HBM) 额定值> 符合RoHS环境标准范围 针对负载开关应用进行了优化 针对通用开关应用进行了优化 电池类应用 手持式和移动类应用 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管   VDS (V) VGS (V) Configuration Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) Id Peak (Max) (A) Id Max Cont (A) QG Typ (nC) QGD Typ (nC) QGS Typ (nC) VGSTH Typ (V) Package (mm)   var link = zh_CN_folder_p_quick_link_descri...

  这款-8V,4.7mΩ,1.5mm×1.5mm器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。 特性 超低电阻 小尺寸封装1.5mm x 1.5mm 无铅 栅极静电放电(ESD)保护 符合RoHS环保标准 无卤素 栅 - 源电压钳位 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管   VDS (V) VGS (V) Configuration Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) Id Peak (Max) (A) Id Max Cont (A) QG Typ (nC) QGD Typ (nC) QGS Typ (nC) VGSTH Typ (V) Package (mm)   var link = zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics; com.TI.Product.handleQuickLinks(parametric,参数变化,#parametrics,link); CSD22206W CSD22202W15 CSD22204W CSD22205L -8  ...

  这款-20V,110mΩ,P沟道FemtoFET™MOSFET经过了设计和优化,能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的尺寸。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)的同时大幅减小封装尺寸。



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